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首先我们需要了解什么是雪崩击穿？什么是齐纳击穿？ 1.雪崩击穿 随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压UB时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子一空穴对。这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电…

一、TVS二极管工作原理 TVS（Transient Voltage Suppressors）二极管，即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管，是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件。TVS二极管有单向与双向之分，单向TVS二极管一般应用于直流供电电路，双向TVS二极管应用于电压交变的电路。当应用于直流电路时，单向TVS二极管反向并联于电路中，当…

⼆极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗⼆极管（Ge管）和硅⼆极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、开关⼆极管等。按照管芯结构，⼜可分为点接触型⼆极管、⾯接触型⼆极管及平⾯型⼆极管。 点接触型⼆极管是⽤⼀根很细的金属丝压在光洁的半导体晶⽚表⾯，通以脉冲电流，使触丝⼀端与晶⽚牢固地烧结在⼀起，形成⼀个“PN结”。由于…

问：二极管- 整流器这篇文章讲的是有关DigiKey代理的单二极管的信息。 二极管 在一个方向上对电流提供低电阻（理想情况下为零），在另一个方向提供高电阻（理想条件下为无穷大）。这些通常是半导体材料的结晶片，具有连接到两个电端子的p-n结。二极管最常见的功能是允许电流沿其正向通过，同时阻断反向电流。因此，二极管可以被视为电流的“单向门”或止回阀的电子版本。 …

什么是？ 雪崩光电二极APD（Avalanche Photon Diode）管指的是在激光通信中使用的光敏元件。 在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。 加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象， 因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。 主要参数 雪崩增益系数M（也叫倍增因子） V …

雪崩二极管 PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。 当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。 雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。 利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管 雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子…

雪崩二极管可应用范围较广 市场空间不断增大 　　雪崩二极管，是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应产生负阻的固体微波器件。雪崩二极管是一种PN结型二极管，PN结在电场作用下，反向电压增大到一定数值时，载流子会倍增，即产生雪崩击穿现象，利用这个特性即可制造雪崩二极管。雪崩二极管可产生高频震荡，常被应用在微波振荡电路中。 　　按照振荡模式来划分…

雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。 PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。 当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿（隧道击穿）。 雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。 利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管…

1、雪崩二极管 雪崩二极管主要分为Si基雪崩二极管，Ge雪崩二极管，InGaAs 雪崩二级 管。APD可以对初级光电流进行内部放大，以增加接收机的灵敏度。由于要实现电流放大作用，光生载流子需要穿过很高的电场，以获得很高的能量。光生载流子在其耗尽区（高场区）内的碰撞电离效应激发出新的电子-空穴对，新产生的载流子通过电场加速，导致更多的碰撞电离产生，从而获得光生…